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程序升温原位气体反应系统

程序升温原位气体反应系统

更新时间:2020-03-26

产品型号:

产品报价:

产品特点:程序升温原位气体反应系统是在标准的样品台基础上搭建可视化NONA-LAB和四电极反馈控温模块。

程序升温原位气体反应系统的详细资料:


程序升温原位气体反应系统是在标准的样品台基础上搭建可视化NONA-LAB和四电极反馈控温模块, 在透射电镜中实现样品的气氛环境皮米级高分辨成像和精准、均匀、安全控温,温度精度优于±0.1K,温度范围RT~1000℃,气压范围:低于2000mBar。
  通过精确的热场模拟及独特的芯片设计,实现无漂移加热过程,可 在加热升温过程中实现实时观测成像。原位气氛反应纳流控安全管理系统实现纳升级别流体引入,高效精 确控制气体池中的流体的流速流量,最低为10nL/s,引入流体在极其微量级别,即使在芯片窗体薄膜破裂 的情况下,也不会有大量气体渗漏,使得电镜的安全得以保证,实验不受影响可持续进行。 

技术参数 :

 

适用极靴 

ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP

适用电镜

 FEI, JEOL, Hitachi

倾转角

 静态 α=±25°,流体 α=±20°

安全性

 100%

(HR)EDS/EELS

 √

(HR)TEM/STEM

 √

加热电极数

4

加热均匀性

 ≥ 99.5%

温度精度

± 0.1K

适用气氛

 H2 , He, N2 , O2 , Ar, H2O, CO,

CO2 , CxHy ... 

压力范围

0~2000mBar  

流道数

4

气体池厚度

 100~200nm

 窗口膜厚

 10nm, 25nm, 50nm

适用样品

 静态,流体

 


程序升温原位气体反应系统独特优势
     1. 皮米级分辨率
a.超薄气夹层(100-200nm)
b.超薄氮化硅膜(可达10nm)
     2. 温控精确
a.四电极形成反馈控制系统,控温准
b.温度范围RT~1000℃,精度±0.1K
c.观测区域全覆盖,升温快且均匀,升温过程不漂移
     3.安全性高
a.气体流道采用防腐设计
b.纳流控系统防渗漏
c.气体流速可控,z低10nL/s

 

 

 

应用领域
1.化学领域   :   热催化 、水汽重整、石油裂解 、煤制油 、合成氨
2.材料科学领:石墨烯及其他二维材料CVD生长 

 

 

 

 

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